(11) | 015963 (13) B1 |
    Разделы: A B C D E F G H  |
(21) | 200900248 |
(22) | 2007.07.19 |
(51) | B01D 9/00 (2006.01) |
(31) | 06015759.1 |
(32) | 2006.07.28 |
(33) | EP |
(43) | 2009.08.28 |
(86) | PCT/EP2007/006429 |
(87) | WO 2008/012026 2008.01.31 |
(71) | (73) ДСМ АйПи АССЕТС Б.В. (NL) |
(72) | Эккеленкамп Геерт (NL) |
(74) | Фелицына С.Б. (RU) |
(54) | СПОСОБ НЕПРЕРЫВНОГО ПОЛУЧЕНИЯ КРУПНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПРОДУКТОВ |
(57) 1. Способ непрерывного получения крупнокристаллических продуктов из кристаллического продукта в кристаллизаторе с псевдоожиженным слоем, содержащем емкость кристаллизации, средства механического дробления кристаллов, соединенную с емкостью кристаллизации линию подачи, внешний контур циркуляции, включающий средства для определения свойств суспензии во внешнем контуре циркуляции и теплообменник, а также линию вывода продукта, отличающийся тем, что измеряют средний диаметр кристалла в линии вывода продукта посредством упомянутых средств определения свойств суспензии и в случае, если средний диаметр кристалла в линии вывода продукта отклоняется от требуемого среднего диаметра получаемого крупнокристаллического продукта, регулируют массовое процентное содержание кристаллов кристаллического продукта в суспензии во внешнем контуре циркуляции (ECCWPC) перед теплообменником в пределах интервала от 1 до 50 мас.% так, чтобы максимальное и минимальное значения ECCWPC отличались не более чем на 25 мас.%.
2. Способ по п.1, в котором кристаллический продукт представляет собой сульфат аммония, а величину ECCWPC регулируют в пределах интервала от 3 до 20 мас.%, предпочтительно от 5 до 15 мас.%, более предпочтительно от 8 до 12 мас.%.
3. Способ по п.1 или 2, в котором емкость кристаллизации содержит слой кристаллов, а регулирование величины ECCWPC осуществляют регулированием высоты слоя кристаллов.
4. Способ по п.3, в котором регулирование высоты слоя кристаллов в емкости кристаллизации осуществляют регулированием количества отводимого продукта, проходящего через линию вывода продукта.
5. Способ по любому из пп.1-4, в котором входное отверстие внешнего контура циркуляции находится на уровне верхней части кристаллического слоя, предпочтительно на вершине кристаллического слоя в емкости кристаллизации, при этом регулирование величины ECCWPC осуществляют регулированием высоты слоя кристаллов в соответствии с результатами измерений свойств суспензии во внешнем контуре циркуляции.
6. Способ по любому из пп.1-5, в котором средства механического дробления кристаллов включают циркуляционный насос, выбранный из группы осевых насосов или центробежных насосов, установленный во внешнем контуре циркуляции, и размещаемые в емкости кристаллизации мешалки, при этом по меньшей мере часть более крупных кристаллов во внешнем контуре циркуляции дробят во внешнем контуре циркуляции, образуя новые кристаллы затравки.
7. Способ по п.6, в котором число оборотов насоса регулируют для достижения заданного содержания новых кристаллов затравки.
8. Способ по любому из пп.1-7, в котором получаемым крупнокристаллическим продуктом является сульфат аммония и средний диаметр кристаллов во внешнем контуре циркуляции составляет по меньшей мере 0,5 мм.
9. Способ по п.8, в котором средний диаметр кристаллов во внешнем контуре циркуляции составляет по меньшей мере 1,5 мм.
10. Способ по любому из пп.1-7, в котором получаемым крупнокристаллическим продуктом является сульфат аммония и средний диаметр кристаллов, отводимых через линию вывода продукта, равен по меньшей мере 1,5 мм.
11. Способ по п.10, в котором средний диаметр кристаллов, отводимых через линию вывода продукта, равен по меньшей мере 2 мм.
12. Способ по п.8 или 11, в котором при этом средний диаметр кристаллов сульфата аммония во внешнем контуре циркуляции составляет по меньшей мере 1 мм и средний диаметр кристаллов сульфата аммония, отводимых через линию вывода продукта, равен по меньшей мере 2 мм.
13. Способ по любому из пп.9 или 11, в котором средний диаметр кристаллов во внешнем контуре циркуляции составляет по меньшей мере 1,5 мм и средний диаметр кристаллов, отводимых через линию вывода продукта, составляет по меньшей мере 2,5 мм.
14. Способ по любому из пп.1-13, в котором используют средства определения свойств суспензии в пределах заданного узкого диапазона значений для поддержания предварительно заданного значения, при этом указанное заданное значение регулируют до значения, выбранного в пределах упомянутого заданного диапазона в постоянные интервалы времени, равные по меньшей мере 1 ч, причем указанное регулирование выполняют с помощью обратной связи на основании величины фактического среднего диаметра кристаллов, отводимых через линию вывода продукта, определяемого в постоянные выбранные интервалы времени.
15. Способ по п.14, в котором упомянутое заданное значение регулируют с постоянными интервалами времени, составляющими в среднем приблизительно 8 ч.
16. Способ по любому из пп.1-15, в котором кристаллы со средним диаметром, отводимые через линию вывода продукта, дополнительно подвергают просеиванию, используя по меньшей мере одно сито или одну стадию просеивания для точной регулировки распределения по размеру кристаллов крупнокристаллического продукта, полученного для потребностей рынка.
17. Способ по п.16, в котором просеивание приводит к получению по меньшей мере двух фракций А и В, причем из этих фракций фракция А является фракцией с самыми мелкими кристаллами и имеет максимальный диаметр кристаллов с заданным значением X1 мм, а фракция В является фракцией требуемого продукта, по меньшей мере 80 мас.% кристаллов которой имеют диаметр больший, чем упомянутое заданное значение X1 мм, в том случае, если требуемым кристаллическим продуктом является сульфат аммония.
18. Способ по п.17, в котором фракция В составляет по меньшей мере 90 мас.% в том случае, если крупнокристаллическим продуктом является сульфат аммония.
19. Способ по п.18, в котором фракция В составляет по меньшей мере 95 мас.%, если крупнокристаллическим продуктом является сульфат аммония.
|