Бюллетень ЕАПВ "Изобретения (евразийские заявки и евразийские патенты)"
Бюллетень 5´2015

  

(11) 

021289 (13) B1       Разделы: A B C D E F G H    

(21) 

201170438

(22) 

2009.07.31

(51) 

H01Q 17/00 (2006.01)

(31) 

P200802609

(32) 

2008.09.12

(33) 

ES

(43) 

2011.08.30

(86) 

PCT/ES2009/000412

(87) 

WO 2010/029193 2010.03.18

(71) 

(73) МИКРОМАГ 2000, С.Л. (ES)

(72) 

Марин Паласиос Пилар, Кортина Бланко Даниэль, Гонсалес Горрити Айноа, Эрнандо Гранде Антонио (ES)

(74) 

Медведев В.Н. (RU)

(54) 

АТТЕНЮАТОР ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

(57) 1. Аттенюатор электромагнитного излучения, который предназначен для ослабления электромагнитного излучения выбранного частотного диапазона, отраженного металлической поверхностью, выполненный из ослабляющего покрытия (8), расположенного таким образом, что электромагнитное излучение падает на это ослабляющее покрытие (8), имеющее проводящее основание (4), предпочтительно плоское, расположенное под упомянутым ослабляющим покрытием (8), при этом упомянутое ослабляющее покрытие (8) образовано двумя слоями: диэлектрическим слоем (7), имеющим определенную толщину d3, композитным слоем (3) определенной толщины d2, образованным смесью краски и микропроводников, расположенным на диэлектрическом слое (7) и покрывающим всю конструкцию, отличающийся тем, что диэлектрический слой (7) расположен непосредственно на проводящем основании (4) и микропроводники являются немагнитными металлическими нитями с изолирующим покрытием, причем длина микропроводников составляет от 1 до 2 мм и диаметр микропроводников находится между 6 и 14 мкм.

2. Аттенюатор электромагнитного излучения по п.1, отличающийся тем, что количество микропроводников, содержащихся в композитном слое (3), ниже порога протекания.

3. Аттенюатор электромагнитного излучения по п.1, отличающийся тем, что ослабляющее покрытие (8) сцеплено с проводящим основанием (4) и адаптировано к геометрии проводящего основания (4).

4. Аттенюатор электромагнитного излучения по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что толщина d2 композитного слоя (3) составляет 140 мкм.

5. Аттенюатор электромагнитного излучения по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что толщина d2 композитного слоя (3) определяет частоту, соответствующую максимальному ослаблению.


наверх