Бюллетень ЕАПВ "Изобретения (евразийские заявки и евразийские патенты)"
Бюллетень 08´2018

  

(11) 

030530 (13) B1       Разделы: A B C E F G H    

(21) 

201600067

(22) 

2015.12.18

(51) 

G01N 21/35 (2014.01)

(43) 

2017.06.30

(96) 

2015000120 (RU) 2015.12.18

(71) 

(73) ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "МИКРОСЕНСОР ТЕХНОЛОДЖИ" (RU)

(72) 

Калинина Карина Вадимовна, Молчанов Сергей Сергеевич, Петухов Андрей Александрович, Стоянов Николай Деев (RU)

(74) 

Нилова М.И. (RU)

(54) 

АНАЛИЗАТОР СОСТАВА ЖИДКИХ И ТВЕРДЫХ ВЕЩЕСТВ

(57) 1. Устройство для определения химического состава анализируемого вещества, представляющего собой твердое вещество, жидкое вещество или их смесь, содержащее

оптический блок, содержащий светодиодный излучатель, излучающий в спектральном диапазоне 900-2500 нм, и широкополосный фотодиод, причем светодиодный излучатель расположен с возможностью направления своего излучения на анализируемое вещество для взаимодействия этого излучения с анализируемым веществом, а широкополосный фотодиод расположен с возможностью приема излучения от светодиодного излучателя после взаимодействия этого излучения с анализируемым веществом,

электронный блок и

плату предусилителя фотодиода, соединенную с электронным блоком,

причем светодиодный излучатель содержит светодиодные чипы, установленные на одной подложке, а

электронный блок выполнен с возможностью управления светодиодными чипами таким образом, что обеспечена возможность смещения максимума суммарного спектра излучения от по меньшей мере одной пары светодиодных чипов,

причем светодиодный излучатель содержит по меньшей мере четыре светодиодных чипа.

2. Устройство по п.1, в котором светодиодные чипы имеют максимумы спектра излучения на разных длинах волн.

3. Устройство по п.1, в котором широкополосный фотодиод характеризуется красной границей 2500 нм.

4. Устройство по п.1, содержащее корпус, который выполнен с возможностью вставки в слот мобильного устройства.

5. Устройство по п.1, которое выполнено с возможностью обмена информацией с мобильным устройством.

6. Устройство по п.1, дополнительно содержащее приемник для размещения пробы анализируемого вещества, причем светодиодный излучатель и фотодиод расположены с противоположных сторон от приемника для размещения пробы анализируемого вещества.

7. Устройство по п.1, в котором светодиодный излучатель и фотодиод расположены с одной стороны от анализируемого вещества.

8. Устройство по п.7, в котором светодиодный излучатель и фотодиод установлены на одной подложке таким образом, что светодиодные чипы установлены на подложке по окружности вокруг фотодиода.

9. Устройство п.7, в котором светодиодный излучатель и фотодиод установлены на собственные подложки, причем указанные подложки собраны соосно в узел, обеспечивая возможность направления излучения от светодиодных чипов на анализируемое вещество и принятия указанного излучения фотодиодом.

10. Устройство любому из пп.7-9, в котором верхняя поверхность фотодиода расположена ниже верхних поверхностей светодиодных чипов.

11. Устройство п.7, в котором светодиодный излучатель и фотодиод установлены на собственные подложки, причем указанные подложки собраны в узел с их пространственным разделением, а указанное устройство дополнительно содержит по меньшей мере две линзы, выполненные с возможностью направления излучения от светодиодных чипов на анализируемое вещество и принятия указанного излучения фотодиодом.

12. Устройство по любому из пп.6, 9 или 11, дополнительно содержащее опорный фотодиод, установленный рядом со светодиодным излучателем.

13. Устройство по любому из пп.1-12, в котором светодиодные чипы выполнены на основе гетероструктур, которые имеют подложку, содержащую GaSb, расположенный над подложкой активный слой, содержащий твердый раствор GaInAsSb, расположенный над активным слоем ограничительный слой для локализации основных носителей, содержащий твердый раствор AlGaAsSb, расположенный над ограничительным слоем контактный слой, содержащий GaSb, и буферный слой, содержащий твердый раствор GaInAsSb.

14. Устройство по п.13, в котором буферный слой гетероструктур расположен между подложкой и активным слоем и содержит индия меньше, чем активный слой.

15. Устройство по любому из пп.1-14, в котором фотодиод выполнен на основе гетероструктуры, содержащей последовательно расположенные подложку, содержащую GaSb, активный слой, содержащий GaInAsSb, слои электрического и оптического ограничения, содержащие AlGaAsSb, и контактный слой, содержащий GaSb.

16. Способ определения химического состава анализируемого вещества с помощью устройства по любому из пп.1-15, в котором

обеспечивают наличие анализируемого вещества,

подают импульсы на светодиодные чипы, причем подача импульсов содержит последовательную подачу импульсов на отдельные светодиодные чипы со сдвигом во времени, и

определяют химический состав анализируемого вещества посредством сравнения спектра, полученного на основе сигналов, сформированных фотодиодом, с по меньшей мере одним известным опорным спектром.

17. Способ по п.16, в котором предварительно создают по меньшей мере один опорный спектр посредством функционирования устройства без наличия анализируемого вещества при имеющихся атмосферных условиях.

18. Способ по п.16, в котором дополнительно определяют концентрацию веществ в составе анализируемого вещества.

19. Способ по п.16, в котором подача импульсов на светодиодные чипы дополнительно содержит подачу импульсов по меньшей мере на одну пару светодиодных чипов, максимумы спектров излучения которых характеризуются соседними длинами волн, при этом при подаче импульсов на по меньшей мере одну пару светодиодных чипов импульсы подают одновременно на каждый светодиодный чип указанной пары светодиодных чипов таким образом, что каждый светодиодный чип включают с различной мощностью.

20. Способ по п.19, в котором подача импульсов содержит последовательную подачу импульсов на более чем одну пару светодиодных чипов со сдвигом во времени.


наверх