(57) 1. Термоэлектрический генератор, который характеризуется тем, что
включает выполненный с возможностью отбора тепла из окружающей среды полупроводниковый блок, содержащий по меньшей мере одну пару соединенных между собой варизонных полупроводников, состоящую из варизонного полупроводника p-типа и варизонного полупроводника n-типа, при этом широкозонная сторона P по меньшей мере одного варизонного полупроводника p-типа соединена с узкозонной стороной n по меньшей мере одного варизонного полупроводника n-типа, а при наличии еще по меньшей мере одной пары варизонных полупроводников широкозонная сторона N по меньшей мере одного варизонного полупроводника n-типа соединена с узкозонной стороной p по меньшей мере одного варизонного полупроводника p-типа.
2. Термоэлектрический генератор по п.1, который характеризуется тем, что на внешних поверхностях полупроводникового блока, одна из которых является внешней поверхностью варизонного полупроводника р-типа с узкозонной стороной p или состоит из наружных поверхностей варизонних полупроводников p-типа с узкозонными сторонами p, а другая является внешней поверхностью варизонного полупроводника n-типа с широкозонной стороной N или состоит из наружных поверхностей варизонних полупроводников n-типа с широкозонными сторонами N, закреплены контактные элементы с контактными поверхностями, выполненные с возможностью отбора тепла из окружающей среды, а к узкозонной стороне p первого и широкозонной стороне N последнего варизонных полупроводников p-типа и n-типа соответственно присоединено по выводу.
3. Термоэлектрический генератор по п.1, который характеризуется тем, что на наружной поверхности полупроводникового блока, которая состоит из наружных поверхностей варизонного полупроводника или полупроводников p-типа с узкозонной стороной или сторонами p и варизонного полупроводника или полупроводников n-типа с широкозонной стороной или сторонами N, закреплен контактный элемент с контактной поверхностью, выполненный с возможностью отбора тепла из окружающей среды, а к узкозонной стороне p первого и широкозонной стороне N последнего варизонных полупроводников p-типа и n-типа соответственно, присоединено по выводу.
4. Термоэлектрический генератор по п.1, который характеризуется тем, что варизонные полупроводники содержат кремний и германий.
5. Термоэлектрический генератор по п.1, который характеризуется тем, что донорной примесью в варизонном полупроводнике n-типа является пятивалентный фосфор, а акцепторной примесью в варизонном полупроводнике p-типа является трехвалентный бор.
6. Термоэлектрический генератор по п.1, который характеризуется тем, что толщина варизонных полупроводников составляет от 0,2 мм.

---