Евразийский сервер публикаций

Евразийская заявка № 202100245

   Библиографические данные
(21)202100245    (13) A1
(22)2021.10.15

 A ]   B ]   C ]   D ]   E ]   F ]   G ]   H ] 

Текущий раздел:      


Документ опубликован 2022.07.15
Текущий бюллетень: 2022-07  
Все публикации: 202100245  

(51) B82B 3/00 (2006.01)
C30B 23/02 (2006.01)
C30B 23/06 (2006.01)
H01L 21/20(2006.01)
(43)A1 2022.07.15 Бюллетень № 07  тит.лист, описание 
(31)2021116692
(32)2021.06.07
(33)RU
(71)ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (СПБГУ) (RU)
(72)Жижин Евгений Владимирович, Пудиков Дмитрий Александрович, Комолов Алексей Сергеевич (RU)
(74)Матвеев А.А., Матвеева Т.И., Леонов И.Ф. (RU)
(54)СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОСЛОЙНОГО СИЛИЦЕНА
   Реферат  [ENG]
(57) Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов в вакууме и может быть использовано для производства кремний-содержащих логических компонентов приборов наноэлектроники, композитных материалов для реального сектора экономики. Способ получения монослойного силицена состоит из трех этапов. На первом этапе исходная подложка монокристалла W(110) очищается от посторонних загрязнений в условиях сверхвысокого вакуума, на втором этапе наносится методом молекулярно-лучевой эпитаксии слой Ag(111) толщиной от 5 до 16 нм, на заключительном этапе методом молекулярно-лучевой эпитаксии наносится монослой кремния на нагретую до T=200°C подложку Ag(111)/W(110), и в результате на поверхности формируется однослойный силицен. Улучшение кристаллической структуры монослойного силицена (увеличение размеров отдельных доменов до 100 нм) достигнуто за счет использования в качестве задающего кристаллографическую структуру силицена слоя Ag(111) и определенных параметров для нанесения методом молекулярно-лучевой эпитаксии атомарного кремния (скорость потока VSi = от 0.01 до 0.02 нм/мин, давление PSi = 5´10-10 мбар) на нагретую до T=200°C подложку Ag(111)/W(110).