Евразийский сервер публикаций

Евразийский патент № 045478

   Библиографические данные
(11)045478    (13) B1
(21)202191727

 A ]   B ]   C ]   D ]   E ]   F ]   G ]   H ] 

Текущий раздел: C     


Документ опубликован 2023.11.28
Текущий бюллетень: 2023-11  
Все публикации: 045478  
Реестр евразийского патента: 045478  

(22)2019.12.17
(51) C23C 16/40 (2006.01)
C23C 16/50 (2006.01)
C23C 16/32 (2006.01)
C23C 16/455 (2006.01)
C23C 16/503 (2006.01)
C23C 16/513 (2006.01)
C23C 16/54 (2006.01)
H01J 37/32(2006.01)
(43)A1 2021.09.03 Бюллетень № 09  тит.лист, описание 
(45)B1 2023.11.28 Бюллетень № 11  тит.лист, описание 
(31)18215298.3
(32)2018.12.21
(33)EP
(86)EP2019/085638
(87)2020/127256 2020.06.25
(71)АГК ГЛАСС ЮРОП (BE)
(72)Арно Грегори (BE), Мишель Эрик (FR)
(73)АГК ГЛАСС ЮРОП (BE)
(74)Квашнин В.П. (RU)
(54)СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ НА МЕТАЛЛ
   Формула 
(57) 1. Металлическая подложка, содержащая слой на основе оксида кремния, имеющий толщину, составляющую от 80 до 400 нм, содержащий от 5 до 30 ат.% углерода и по меньшей мере 80% по весу SiO2.
2. Металлическая подложка по п.1, дополнительно содержащая слой анодированного металла между основным металлом и слоем на основе оксида кремния.
3. Металлическая подложка по любому из предыдущих пунктов, где слой на основе оксида кремния содержит не более 15% по весу оксида титана, оксида циркония или смеси оксида титана и оксида циркония.
4. Способ получения слоя на основе оксида кремния, имеющего толщину, составляющую от 80 до 400 нм, содержащего от 5 до 30 ат.% углерода и по меньшей мере 80% по весу SiO2, на металлической подложке, предусматривающий:
a) использование устройства для плазмохимического осаждения из паровой фазы PECVD при низком давлении, содержащего по меньшей мере один линейный двухлучевой источник плазмы, при этом источник содержит по меньшей мере два электрода, соединенные с генератором переменного тока или пульсирующего постоянного тока, для осаждения указанных слоев на подложке;
b) подачу электрической мощности между двумя электродами так, чтобы плотность мощности плазмы составляла от 3 до 17 Вт на 1 см2 плазмы; и
c) нанесение на подложку газообразного углеродсодержащего предшественника оксида кремния при расходе от 125 до 750 станд. см3/мин на погонный метр источника плазмы и реакционноспособного газа на основе кислорода или кислородсодержащих производных при расходе от 500 до 2500 станд. см3/мин на погонный метр источника плазмы.
5. Способ получения слоя на основе оксида кремния, имеющего толщину, составляющую от 80 до 400 нм, содержащего от 5 до 30 ат.% углерода и по меньшей мере 80% по весу SiO2, на металлической подложке, предусматривающий:
a) использование устройства для PECVD при низком давлении, содержащего по меньшей мере один источник плазмы с полым катодом, при этом источник содержит по меньшей мере один электрод, соединенный с генератором переменного тока, постоянного тока или пульсирующего постоянного тока, для осаждения указанных слоев на подложке;
b) подачу электрической мощности на источник плазмы так, чтобы плотность мощности плазмы составляла от 10 до 50 кВт на 1 м плазмы; и
c) нанесение на подложку газообразного углеродсодержащего предшественника оксида кремния при расходе от 125 до 750 станд. см3/мин на погонный метр источника плазмы и реакционноспособного газа на основе кислорода или кислородсодержащих производных при расходе от 550 до 2500 станд. см3/мин на погонный метр источника плазмы.